電工電子實(shí)訓(xùn)設(shè)備中快速熔斷器的應(yīng)用特性

概述：根據(jù)勞動(dòng)和社會(huì)保障部頒發(fā)的維修電工初、中級(jí)考核培訓(xùn)技能內(nèi)容所要求電氣控制線(xiàn)路和實(shí)用電子線(xiàn)路，上海茂育公司生產(chǎn)的電工電子實(shí)訓(xùn)設(shè)備，通過(guò)本實(shí)訓(xùn)設(shè)備的實(shí)訓(xùn)操作，各中等學(xué)校學(xué)生能快速掌握該課程的實(shí)用技術(shù)與操作技能。具有針對(duì)性、實(shí)用性、科學(xué)性和先進(jìn)性，不僅可供學(xué)生實(shí)訓(xùn)操作，也是各勞動(dòng)職業(yè)技能鑒定部門(mén)、大中專(zhuān)院校、職校、技校初級(jí)、中級(jí)維修電工技能考核的理想設(shè)備，下面講一講設(shè)備中的快速熔斷器的應(yīng)用特性。
1、電流通過(guò)能力：
　　快速熔斷器的額定電流是以有效值表示的，一般正常通過(guò)電流為標(biāo)稱(chēng)額定電流的30%～70%�？焖偃蹟嗥魇褂脮r(shí)或其一端被半導(dǎo)體器件加熱而另一端被水冷母排冷卻，或雙面都被水冷母排冷卻；或進(jìn)行強(qiáng)制風(fēng)冷來(lái)控制溫升使之保持電流通過(guò)能力。
　　整流器中快速熔斷器接頭處的連接狀況直接影響著快速熔斷器的溫升和可靠運(yùn)行，為此必須保持接觸面的平整和清潔。如無(wú)鍍層的母排的接觸面要去除氧化層，安裝時(shí)給予規(guī)定的壓緊力，最好使接觸面產(chǎn)生彈性變形。并聯(lián)的快速熔斷器要求逐個(gè)檢測(cè)接觸面的壓降。
2、快速熔斷器的溫升與功耗：
　　快速熔斷器的功耗W=ΔUIw；ΔU=f(Iw)式中：Iw---工作電流；ΔU---快速熔斷器的壓降。
　　快速熔斷器的功耗與其冷態(tài)電阻有很大的關(guān)系，選用冷態(tài)電阻較小的快速熔斷器有利于降低溫升，因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)能力主要受溫升限制。如前所述，快速熔斷器接頭處的連接狀況也影響著快速熔斷器的溫升，要求快速熔斷器接頭處的溫升不應(yīng)影響其相鄰器件的工作。實(shí)驗(yàn)證明，快速熔斷器的溫升低于80℃時(shí)可以長(zhǎng)期運(yùn)行，溫升100℃時(shí)制造工藝穩(wěn)定的產(chǎn)品仍能長(zhǎng)期運(yùn)行，溫升120℃是電流通過(guò)能力的臨界點(diǎn)，若溫升達(dá)到140℃時(shí)，快速熔斷器不能長(zhǎng)期運(yùn)行。
　　目前，化工行業(yè)一般采用水冷母排和風(fēng)冷方式來(lái)降低快速熔斷器的溫升。水冷母排尤其對(duì)低電壓規(guī)格的快速熔斷器如400～600V效果更佳�？焖偃蹟嗥鞫俗优c水冷母排連接端溫差一般在1.0～2.0℃。許多大功率快速熔斷器是按水冷條件設(shè)計(jì)的，所以，用戶(hù)在使用前應(yīng)向制造廠(chǎng)垂詢(xún)。風(fēng)冷也是一種減少溫升的有效方法，根據(jù)風(fēng)速通過(guò)能力曲線(xiàn)來(lái)確定風(fēng)速對(duì)快速熔斷器溫升的影響，風(fēng)速約5m/s時(shí)一般可以提高25%的通流能力，風(fēng)速若再增加將不會(huì)有明顯的作用。
根據(jù)制造廠(chǎng)提供的快速熔斷器電壓降曲線(xiàn)以及額定電流下的功耗，測(cè)量快速熔斷器兩極端子間的電壓降可以快速計(jì)算出該支路的實(shí)際電流。
　　另外，在同樣的通流情況下，溫升還與快速熔斷器是否采用單一或雙并有關(guān)。先進(jìn)工業(yè)國(guó)家制造的大功率整流裝置中多采用快速熔斷器的雙并與半導(dǎo)體器件串聯(lián)，如700A×2、1400A×2、2500A×2。雙并結(jié)構(gòu)的快速熔斷器端子可以盡量減薄，以減小電阻。有一類(lèi)雙并連接的快速熔斷器靠螺栓和連板連接，另一類(lèi)是連板（端子）與2個(gè)熔體（端子）焊為一體的結(jié)構(gòu)，此類(lèi)結(jié)構(gòu)比較先進(jìn)。電壓較高的快速熔斷器其內(nèi)阻較大，尤其是800V以上產(chǎn)品，由于外殼瓷套有一定的長(zhǎng)度，表面積較大，而熔體產(chǎn)生的熱量經(jīng)由填料、外殼傳導(dǎo)散熱，故電壓高的快速熔斷器風(fēng)冷效果較顯著。
3、分?jǐn)嗄芰Φ倪x擇：
　　快速熔斷器的外殼強(qiáng)度在很大程度上確定了對(duì)最大故障電流的分?jǐn)嗄芰�。其次，快速熔斷器�?nèi)部的金屬熔片形狀、填料吸附金屬蒸汽能力和熱量、熔斷體的電動(dòng)力等都影
響分?jǐn)嗄芰�。設(shè)計(jì)整流器時(shí)應(yīng)計(jì)算“整流變壓器”的相間短路電流，并按此電流選用具有足夠分?jǐn)嗄芰Φ目焖偃蹟嗥�。分�(jǐn)嗄芰Σ蛔愕目焖偃蹟嗥鲿?huì)持續(xù)燃弧直至爆炸，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致交直流短路，故額定分?jǐn)嗄芰κ且粋�(gè)安全指標(biāo)。
　　易于忽視的問(wèn)題是在電工電子實(shí)訓(xùn)中短路故障時(shí)線(xiàn)路的功率因數(shù)，因?yàn)樵诳焖偃蹟嗥鞣謹(jǐn)鄷r(shí)所產(chǎn)生的電弧能量的大小與電路感抗的大小有很大的關(guān)系，當(dāng)線(xiàn)路功率因數(shù)cosφ＜0.2時(shí)對(duì)分?jǐn)嗄芰τ刑貏e高的要求。
快速熔斷器分?jǐn)鄷r(shí)的能量Wo=Wa+Wr+W1
式中：Wa---電弧能量；Wr---電阻消耗能量；W1---線(xiàn)路電感釋放的能量。
　　在分?jǐn)嗄芰�滿(mǎn)足“整流器”的要求時(shí)，還要注意分?jǐn)嗨查g電弧電壓峰值（標(biāo)準(zhǔn)中稱(chēng)為“暫態(tài)恢復(fù)電壓”）不能過(guò)高，要在快速熔斷器制造時(shí)予以限制，使其低于半導(dǎo)體器件所能承受的最大值，否則半導(dǎo)體器件將會(huì)損壞。故分?jǐn)鄷r(shí)間最短的熔斷器不一定最適用。
　　當(dāng)快速熔斷器用于直流電路中時(shí)，因?yàn)樵谥绷鞣謹(jǐn)噙^(guò)程中不存在電壓的過(guò)零點(diǎn)，這對(duì)快速熔斷器的可靠分?jǐn)嗍且粋�(gè)苛刻的條件，所以一般情況下快速熔斷器若用在直流電路中只能用到快速熔斷器額定電壓的60%，最好選用直流快速熔斷器。
4、I2t的選擇：
　　熔斷器的熔斷時(shí)間t與熔斷電流I的大小有關(guān)，其規(guī)律是與電流的平方成反比。圖3表示t∞1/I2的關(guān)系曲線(xiàn)，稱(chēng)為熔斷器的秒-安特性曲線(xiàn)。
　　由于各種電器設(shè)備（包括電網(wǎng)）都有一定的過(guò)載能力，當(dāng)過(guò)載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，而超過(guò)某一過(guò)載倍數(shù)時(shí)，相應(yīng)要求熔斷器在一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過(guò)載和短路，必須了解用電設(shè)備的過(guò)載特性，使這一特性恰當(dāng)?shù)靥幵谌蹟嗥髅?安特性的保護(hù)范圍之內(nèi)。
　　熔斷電流Io的熔斷時(shí)間在理論上是無(wú)限大的，稱(chēng)為最小融化電流或臨界電流，即通過(guò)熔體的電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。所以選擇熔體的額定電流 Ie應(yīng)小于Io；通常取Io與Ie的比值為1.5～2.0，稱(chēng)作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器在過(guò)載時(shí)的不同保護(hù)特性，如要使熔斷器能保護(hù)小過(guò)載電流，融化系數(shù)就應(yīng)該低些；為了避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)的短時(shí)過(guò)電流使熔體熔化，融化系數(shù)就應(yīng)高些。
　　快速熔器電流通過(guò)能力滿(mǎn)足系統(tǒng)短路電流的要求后，發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流，但能否保護(hù)所串聯(lián)的半導(dǎo)體器件則必須分析二者的I2t值。只有當(dāng)快速熔斷器的I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí)，才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段，即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)的時(shí)間是弧前時(shí)間，大約1.0～2.0ms，可以認(rèn)為是絕熱過(guò)程，此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生的電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值，由設(shè)計(jì)來(lái)確定�；∏癐2t值對(duì)于不同的材料其值也不同，對(duì)于每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃，在燃弧過(guò)程中電流由限流值降至零，此階段的I2t即為熔斷I2t，它是一個(gè)變量。這一過(guò)程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。
　　在設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí)，為滿(mǎn)足半導(dǎo)體器件不斷提高的額定電流，要采取許多措施，而不能簡(jiǎn)單地用算術(shù)方法來(lái)選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)額定電流增加1倍時(shí)，快速熔斷器的I2t值是原來(lái)的4倍，而半導(dǎo)體器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大的難度，只有多方面采取措施，如合理的熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料的熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器的重要指標(biāo)之一。
5、絕緣電阻：
　　快速熔斷器分?jǐn)嗪蟮慕^緣電阻的指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要的。20世紀(jì)90年代大量的產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽，鈉鹽可以提高電弧柵的分?jǐn)嗄芰�。而制造較差的快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于 0.3MΩ，甚至有漏電現(xiàn)象，特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃，這將引起更大的故障。質(zhì)量好的快速熔斷器（加入了鉀鹽、鈉鹽）分?jǐn)嗪髴?yīng)形成 0.5MΩ以上的絕緣電阻�？焖偃蹟嗥髟诜�?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1～30MΩ的絕緣電阻，可認(rèn)為有良好的可靠性。
另外，使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性；分?jǐn)嗪蟮慕^緣電阻指標(biāo)（＞0.5MΩ）；盡量低的暫態(tài)恢復(fù)電壓；不使用有隱形故障的產(chǎn)品等
6、結(jié)語(yǔ)：
通過(guò)電工電子實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)學(xué)習(xí)，學(xué)生可方便地進(jìn)行實(shí)地、調(diào)試、排除電路故障和對(duì)電路進(jìn)行修改完善等訓(xùn)練．激發(fā)了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，鍛煉了他們獨(dú)立思考和解決問(wèn)題的能力，同時(shí)提高了教學(xué)效率．在實(shí)訓(xùn)教學(xué)保障體系中，教師、基礎(chǔ)設(shè)施、教學(xué)文件、教學(xué)反饋和管理制度五大要素是相互補(bǔ)充、循環(huán)促進(jìn)、共同提高的關(guān)系．每一要素的改進(jìn)和提高，都可帶動(dòng)其他要素的同步提高，從而帶動(dòng)實(shí)訓(xùn)教學(xué)保障體系的整體提高．這些都為實(shí)踐教學(xué)研究提出了新觀(guān)